STS1HNK60 - MOSFET N-CH 600V 300MA 8-SOIC

Référence fabricant

STS1HNK60

Numéro de pièce interne

ABC-STS1HNK60

Fabricant

STMicroelectronics

Brève description

MOSFET N-CH 600V 300MA 8-SOIC

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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1-2 jours

quantité disponible

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Spécifications pour STS1HNK60

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : STS1HNK60

Fabricant : STMicroelectronics

La description : MOSFET N-CH 600V 300MA 8-SOIC

Séries : SuperMESH™

Statut de la pièce : Obsolete

Type de FET : N-Channel

La technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain à la tension source (Vdss) : 600V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 300mA (Tc)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 8.5 Ohm @ 500mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 3.7V @ 250µA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 10nC @ 10V

Vgs (Max) : ±30V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 156pF @ 25V

Caractéristique FET : -

Dissipation de puissance (max) : 2W (Tc)

Température de fonctionnement : -65°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage : Surface Mount

Package d'appareils du fournisseur : 8-SO

Paquet / caisse : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : STS , STS1

Documents pour STS1HNK60

Feuilles de données : STS1HNK60.pdf

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