IPD180N10N3GBTMA1 - MOSFET N-CH 100V 43A TO252-3

Référence fabricant

IPD180N10N3GBTMA1

Numéro de pièce interne

ABC-IPD180N10N3GBTMA1

Fabricant

Infineon Technologies

Brève description

MOSFET N-CH 100V 43A TO252-3

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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Spécifications pour IPD180N10N3GBTMA1

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : IPD180N10N3GBTMA1

Fabricant : Infineon Technologies

La description : MOSFET N-CH 100V 43A TO252-3

Séries : OptiMOS™

Statut de la pièce : Active

Type de FET : N-Channel

La technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain à la tension source (Vdss) : 100V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 43A (Tc)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 6V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 18 mOhm @ 33A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 3.5V @ 33µA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 25nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 1800pF @ 50V

Caractéristique FET : -

Dissipation de puissance (max) : 71W (Tc)

Température de fonctionnement : -55°C ~ 175°C (TJ)

Type de montage : Surface Mount

Package d'appareils du fournisseur : PG-TO252-3

Paquet / caisse : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : IPD18 , IPD180N1

Documents pour IPD180N10N3GBTMA1

Feuilles de données : IPD180N10N3GBTMA1.pdf

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