PSMN0R9-25YLDX - PSMN0R9-25YLD/LFPAK/REEL 7 Q1

Référence fabricant

PSMN0R9-25YLDX

Numéro de pièce interne

ABC-PSMN0R9-25YLDX

Fabricant

Nexperia USA Inc.

Brève description

PSMN0R9-25YLD/LFPAK/REEL 7 Q1

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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Spécifications pour PSMN0R9-25YLDX

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : PSMN0R9-25YLDX

Fabricant : Nexperia USA Inc.

La description : PSMN0R9-25YLD/LFPAK/REEL 7 Q1

Séries : -

Statut de la pièce : Active

Type de FET : N-Channel

La technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain à la tension source (Vdss) : 25V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 300A (Tc)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 0.85 mOhm @ 25A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.2V @ 1mA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 89.8nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 6721pF @ 12V

Caractéristique FET : -

Dissipation de puissance (max) : 238W (Tc)

Température de fonctionnement : -55°C ~ 175°C (TJ)

Type de montage : Surface Mount

Package d'appareils du fournisseur : LFPAK56, Power-SO8

Paquet / caisse : SC-100, SOT-669

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : PSMN , PSMN0R9

Documents pour PSMN0R9-25YLDX

Feuilles de données : PSMN0R9-25YLDX.pdf

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