MBR20080CT - DIODE MODULE 80V 200A 2TOWER

Référence fabricant

MBR20080CT

Numéro de pièce interne

ABC-MBR20080CT

Fabricant

GeneSiC Semiconductor

Brève description

DIODE MODULE 80V 200A 2TOWER

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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1-2 jours

quantité disponible

43232 Pieces

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Spécifications pour MBR20080CT

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : MBR20080CT

Fabricant : GeneSiC Semiconductor

La description : DIODE MODULE 80V 200A 2TOWER

Séries : -

Statut de la pièce : Active

Configuration de la diode : 1 Pair Common Cathode

Type de diode : Schottky

Tension - Inverse CC (Vr) (Max) : 80V

Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) : 200A (DC)

Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si : 840mV @ 100A

La vitesse : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Temps de récupération inverse (trr) : -

Courant - Fuite inverse @ Vr : 5mA @ 20V

Température de fonctionnement - Jonction : -

Type de montage : Chassis Mount

Paquet / caisse : Twin Tower

Package d'appareils du fournisseur : Twin Tower

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : MBR , MBR20

Documents pour MBR20080CT

Feuilles de données : MBR20080CT.pdf

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