1SS187,LF - DIODE GEN PURP 80V 100MA S-MINI
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
ABC-1SS187,LF
Fabricant
Brève description
DIODE GEN PURP 80V 100MA S-MINI
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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17789394 Pieces
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Spécifications pour 1SS187,LF
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : 1SS187,LF
Fabricant : Toshiba Semiconductor and Storage
La description : DIODE GEN PURP 80V 100MA S-MINI
Séries : -
Statut de la pièce : Active
Type de diode : Standard
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) : 80V
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) : 100mA
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si : 1.2V @ 100mA
La vitesse : Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Temps de récupération inverse (trr) : 4ns
Courant - Fuite inverse @ Vr : 500nA @ 80V
Capacité @ Vr, F : 4pF @ 0V, 1MHz
Type de montage : Surface Mount
Paquet / caisse : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Package d'appareils du fournisseur : S-Mini
Température de fonctionnement - Jonction : 125°C (Max)
Poids : -
État : Nouveau et original
Documents pour 1SS187,LF
Feuilles de données : 1SS187,LF.pdf
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