GP2M002A065PG - MOSFET N-CH 650V 1.8A IPAK

Référence fabricant

GP2M002A065PG

Numéro de pièce interne

ABC-GP2M002A065PG

Fabricant

Global Power Technologies Group

Brève description

MOSFET N-CH 650V 1.8A IPAK

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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1-2 jours

quantité disponible

84064 Pieces

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Spécifications pour GP2M002A065PG

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : GP2M002A065PG

Fabricant : Global Power Technologies Group

La description : MOSFET N-CH 650V 1.8A IPAK

Séries : -

Statut de la pièce : Obsolete

Type de FET : N-Channel

La technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain à la tension source (Vdss) : 650V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 1.8A (Tc)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 4.6 Ohm @ 900mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 250µA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 8.5nC @ 10V

Vgs (Max) : ±30V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 353pF @ 25V

Caractéristique FET : -

Dissipation de puissance (max) : 52W (Tc)

Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage : Through Hole

Package d'appareils du fournisseur : I-PAK

Paquet / caisse : TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : GP2M , GP2M00

Documents pour GP2M002A065PG

Feuilles de données : GP2M002A065PG.pdf

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