C3M0280090J-TR - MOSFET N-CH 900V 11A

Référence fabricant

C3M0280090J-TR

Numéro de pièce interne

ABC-C3M0280090J-TR

Fabricant

Cree/Wolfspeed

Brève description

MOSFET N-CH 900V 11A

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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Spécifications pour C3M0280090J-TR

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : C3M0280090J-TR

Fabricant : Cree/Wolfspeed

La description : MOSFET N-CH 900V 11A

Séries : C3M™

Statut de la pièce : Active

Type de FET : N-Channel

La technologie : SiCFET (Silicon Carbide)

Drain à la tension source (Vdss) : 900V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 11A (Tc)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 15V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 360 mOhm @ 7.5A, 15V

Vgs (th) (Max) @ Id : 3.5V @ 1.2mA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 9.5nC @ 15V

Vgs (Max) : +18V, -8V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 150pF @ 600V

Caractéristique FET : -

Dissipation de puissance (max) : 50W (Tc)

Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage : Surface Mount

Package d'appareils du fournisseur : D2PAK-7

Paquet / caisse : TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : C3M0 , C3M0280

Documents pour C3M0280090J-TR

Feuilles de données : C3M0280090J-TR.pdf

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