A2G26H281-04SR3 - AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR

Référence fabricant

A2G26H281-04SR3

Numéro de pièce interne

ABC-A2G26H281-04SR3

Fabricant

NXP USA Inc.

Brève description

AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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1-2 jours

quantité disponible

31977 Pieces

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Spécifications pour A2G26H281-04SR3

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : A2G26H281-04SR3

Fabricant : NXP USA Inc.

La description : AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR

Séries : -

Statut de la pièce : Active

Type de transistor : LDMOS

La fréquence : 2.496GHz ~ 2.69GHz

Gain : 14.2dB

Tension - Test : 48V

Note actuelle : -

Figure de bruit : -

Courant - Test : 150mA

Puissance - sortie : 50W

Tension - nominale : 125V

Paquet / caisse : NI-780S-4L

Package d'appareils du fournisseur : NI-780S-4L

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : A2G26 , A2G26H2

Documents pour A2G26H281-04SR3

Feuilles de données : A2G26H281-04SR3.pdf

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