US1BHE3/5AT - DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
ABC-US1BHE3/5AT
Fabricant
Brève description
DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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1-2 jours
quantité disponible
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Spécifications pour US1BHE3/5AT
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : US1BHE3/5AT
Fabricant : Vishay Semiconductor Diodes Division
La description : DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC
Séries : -
Statut de la pièce : Obsolete
Type de diode : Standard
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) : 100V
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) : 1A
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si : 1V @ 1A
La vitesse : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Temps de récupération inverse (trr) : 50ns
Courant - Fuite inverse @ Vr : 10µA @ 100V
Capacité @ Vr, F : 15pF @ 4V, 1MHz
Type de montage : Surface Mount
Paquet / caisse : DO-214AC, SMA
Package d'appareils du fournisseur : DO-214AC (SMA)
Température de fonctionnement - Jonction : -55°C ~ 150°C
Poids : -
État : Nouveau et original
Documents pour US1BHE3/5AT
Feuilles de données : US1BHE3/5AT.pdf
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