MT40A512M8RH-075E AIT:B - IC DRAM 4G PARALLEL 1.33GHZ

Référence fabricant

MT40A512M8RH-075E AIT:B

Numéro de pièce interne

ABC-MT40A512M8RH-075E AIT:B

Fabricant

Micron Technology Inc.

Brève description

IC DRAM 4G PARALLEL 1.33GHZ

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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Spécifications pour MT40A512M8RH-075E AIT:B

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : MT40A512M8RH-075E AIT:B

Fabricant : Micron Technology Inc.

La description : IC DRAM 4G PARALLEL 1.33GHZ

Séries : -

Statut de la pièce : Active

Type de mémoire : Volatile

Format de mémoire : DRAM

La technologie : SDRAM - DDR4

Taille mémoire : 4Gb (512M x 8)

Fréquence d'horloge : 1.33GHz

Ecrire le temps de cycle - Word, Page : -

Temps d'accès : -

Interface mémoire : Parallel

Tension - Alimentation : 1.14V ~ 1.26V

Température de fonctionnement : -40°C ~ 95°C (TC)

Type de montage : -

Paquet / caisse : -

Package d'appareils du fournisseur : -

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : MT40A51 , MT40A512M8R

Documents pour MT40A512M8RH-075E AIT:B

Feuilles de données : MT40A512M8RH-075E AIT:B.pdf

Produits associés pour MT40A512M8RH-075E AIT:B Micron Technology Inc.

Numéro d'article	Marque	La description
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WI106266WP40236BJ1	Vishay Beyschlag	Ceramic Capacitors 4000PF 20KV SCREW.
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