TPH3205WSBQA - GANFET N-CH 650V 35A TO247

Référence fabricant

TPH3205WSBQA

Numéro de pièce interne

ABC-TPH3205WSBQA

Fabricant

Transphorm

Brève description

GANFET N-CH 650V 35A TO247

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

Heure de livraison

1-2 jours

quantité disponible

56173 Pieces

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Spécifications pour TPH3205WSBQA

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : TPH3205WSBQA

Fabricant : Transphorm

La description : GANFET N-CH 650V 35A TO247

Séries : Automotive, AEC-Q101

Statut de la pièce : Active

Type de FET : N-Channel

La technologie : GaNFET (Gallium Nitride)

Drain à la tension source (Vdss) : 650V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 35A (Tc)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 62 mOhm @ 22A, 8V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.6V @ 700µA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 42nC @ 8V

Vgs (Max) : ±18V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 2200pF @ 400V

Caractéristique FET : -

Dissipation de puissance (max) : 125W (Tc)

Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage : Through Hole

Package d'appareils du fournisseur : TO-247-3

Paquet / caisse : TO-247-3

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : TPH3 , TPH320

Documents pour TPH3205WSBQA

Feuilles de données : TPH3205WSBQA.pdf

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