SISS10ADN-T1-GE3 - MOSFET N-CHAN 40 V POWERPAK 1212

Référence fabricant

SISS10ADN-T1-GE3

Numéro de pièce interne

ABC-SISS10ADN-T1-GE3

Fabricant

Vishay Siliconix

Brève description

MOSFET N-CHAN 40 V POWERPAK 1212

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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Spécifications pour SISS10ADN-T1-GE3

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : SISS10ADN-T1-GE3

Fabricant : Vishay Siliconix

La description : MOSFET N-CHAN 40 V POWERPAK 1212

Séries : TrenchFET® Gen IV

Statut de la pièce : Active

Type de FET : N-Channel

La technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain à la tension source (Vdss) : 40V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 31.7A (Ta), 109A (Tc)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 2.65 mOhm @ 15A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.4V @ 250µA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 61nC @ 10V

Vgs (Max) : +20V, -16V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 3030pF @ 20V

Caractéristique FET : -

Dissipation de puissance (max) : 4.8W (Ta), 56.8W (Tc)

Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage : Surface Mount

Package d'appareils du fournisseur : PowerPAK® 1212-8S

Paquet / caisse : PowerPAK® 1212-8S

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : SISS1 , SISS10AD

Documents pour SISS10ADN-T1-GE3

Feuilles de données : SISS10ADN-T1-GE3.pdf

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