DMP1012UCB9-7 - MOSFET P-CH 8V 10A

Référence fabricant

DMP1012UCB9-7

Numéro de pièce interne

ABC-DMP1012UCB9-7

Fabricant

Diodes Incorporated

Brève description

MOSFET P-CH 8V 10A

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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Spécifications pour DMP1012UCB9-7

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : DMP1012UCB9-7

Fabricant : Diodes Incorporated

La description : MOSFET P-CH 8V 10A

Séries : -

Statut de la pièce : Active

Type de FET : P-Channel

La technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain à la tension source (Vdss) : 8V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 10A (Ta)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 2.5V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 10 mOhm @ 2A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id : 1.1V @ 250µA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 10.5nC @ 4.5V

Vgs (Max) : -6V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 1060pF @ 4V

Caractéristique FET : -

Dissipation de puissance (max) : 890mW (Ta)

Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage : Surface Mount

Package d'appareils du fournisseur : U-WLB1515-9

Paquet / caisse : 9-UFBGA, WLBGA

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : DMP1 , DMP101

Documents pour DMP1012UCB9-7

Feuilles de données : DMP1012UCB9-7.pdf

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