TK25E60X5,S1X - MOSFET N-CH 600V 25A TO-220AB

Référence fabricant

TK25E60X5,S1X

Numéro de pièce interne

ABC-TK25E60X5,S1X

Fabricant

Toshiba Semiconductor and Storage

Brève description

MOSFET N-CH 600V 25A TO-220AB

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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1-2 jours

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Spécifications pour TK25E60X5,S1X

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : TK25E60X5,S1X

Fabricant : Toshiba Semiconductor and Storage

La description : MOSFET N-CH 600V 25A TO-220AB

Séries : DTMOSIV-H

Statut de la pièce : Active

Type de FET : N-Channel

La technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain à la tension source (Vdss) : 600V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 25A (Ta)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 140 mOhm @ 7.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 1.2mA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 60nC @ 10V

Vgs (Max) : ±30V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 2400pF @ 300V

Caractéristique FET : -

Dissipation de puissance (max) : 180W (Tc)

Température de fonctionnement : 150°C (TJ)

Type de montage : Through Hole

Package d'appareils du fournisseur : TO-220

Paquet / caisse : TO-220-3

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : TK25 , TK25E6

Documents pour TK25E60X5,S1X

Feuilles de données : TK25E60X5,S1X.pdf

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