IRFR3707Z - MOSFET N-CH 30V 56A DPAK

Référence fabricant

IRFR3707Z

Numéro de pièce interne

ABC-IRFR3707Z

Fabricant

Infineon Technologies

Brève description

MOSFET N-CH 30V 56A DPAK

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

Heure de livraison

1-2 jours

quantité disponible

105216 Pieces

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Spécifications pour IRFR3707Z

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : IRFR3707Z

Fabricant : Infineon Technologies

La description : MOSFET N-CH 30V 56A DPAK

Séries : HEXFET®

Statut de la pièce : Obsolete

Type de FET : N-Channel

La technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain à la tension source (Vdss) : 30V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 56A (Tc)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 9.5 mOhm @ 15A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.25V @ 250µA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 14nC @ 4.5V

Vgs (Max) : ±20V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 1150pF @ 15V

Caractéristique FET : -

Dissipation de puissance (max) : 50W (Tc)

Température de fonctionnement : -55°C ~ 175°C (TJ)

Type de montage : Surface Mount

Package d'appareils du fournisseur : D-Pak

Paquet / caisse : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : IRF , IRFR

Documents pour IRFR3707Z

Feuilles de données : IRFR3707Z.pdf

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