AS4C8M16D1-5BCN - IC DRAM 128M PARALLEL 60TFBGA

Référence fabricant
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IC DRAM 128M PARALLEL 60TFBGA
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Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour AS4C8M16D1-5BCN

Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : AS4C8M16D1-5BCN
Fabricant : Alliance Memory, Inc.
La description : IC DRAM 128M PARALLEL 60TFBGA
Séries : -
Statut de la pièce : Active
Type de mémoire : Volatile
Format de mémoire : DRAM
La technologie : SDRAM - DDR
Taille mémoire : 128Mb (8M x 16)
Fréquence d'horloge : 200MHz
Ecrire le temps de cycle - Word, Page : 15ns
Temps d'accès : 700ps
Interface mémoire : Parallel
Tension - Alimentation : 2.3V ~ 2.7V
Température de fonctionnement : 0°C ~ 70°C (TA)
Type de montage : Surface Mount
Paquet / caisse : 60-TFBGA
Package d'appareils du fournisseur : 60-TFBGA (8x13)
Poids : -
État : Nouveau et original
Liens connexes : AS4C8 , AS4C8M1

Documents pour AS4C8M16D1-5BCN

Feuilles de données : AS4C8M16D1-5BCN.pdf

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