TK10A60W,S4VX - MOSFET N-CH 600V 9.7A TO-220SIS

Référence fabricant

TK10A60W,S4VX

Numéro de pièce interne

ABC-TK10A60W,S4VX

Fabricant

Toshiba Semiconductor and Storage

Brève description

MOSFET N-CH 600V 9.7A TO-220SIS

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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Spécifications pour TK10A60W,S4VX

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : TK10A60W,S4VX

Fabricant : Toshiba Semiconductor and Storage

La description : MOSFET N-CH 600V 9.7A TO-220SIS

Séries : DTMOSIV

Statut de la pièce : Active

Type de FET : N-Channel

La technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain à la tension source (Vdss) : 600V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 9.7A (Ta)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 380 mOhm @ 4.9A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 3.7V @ 500µA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 20nC @ 10V

Vgs (Max) : ±30V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 700pF @ 300V

Caractéristique FET : Super Junction

Dissipation de puissance (max) : 30W (Tc)

Température de fonctionnement : 150°C (TJ)

Type de montage : Through Hole

Package d'appareils du fournisseur : TO-220SIS

Paquet / caisse : TO-220-3 Full Pack

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : TK10 , TK10A6

Documents pour TK10A60W,S4VX

Feuilles de données : TK10A60W,S4VX.pdf

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