DMN3009SFGQ-7 - MOSFET N-CH 30VPOWERDI3333-8

Référence fabricant

DMN3009SFGQ-7

Numéro de pièce interne

ABC-DMN3009SFGQ-7

Fabricant

Diodes Incorporated

Brève description

MOSFET N-CH 30VPOWERDI3333-8

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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Spécifications pour DMN3009SFGQ-7

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : DMN3009SFGQ-7

Fabricant : Diodes Incorporated

La description : MOSFET N-CH 30VPOWERDI3333-8

Séries : Automotive, AEC-Q101

Statut de la pièce : Active

Type de FET : N-Channel

La technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain à la tension source (Vdss) : 30V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 16A (Ta), 45A (Tc)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 5.5 mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 42nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 2nF @ 15V

Caractéristique FET : -

Dissipation de puissance (max) : 900mW (Ta)

Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage : Surface Mount

Package d'appareils du fournisseur : PowerDI3333-8

Paquet / caisse : 8-PowerVDFN

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : DMN3 , DMN300

Documents pour DMN3009SFGQ-7

Feuilles de données : DMN3009SFGQ-7.pdf

Produits associés pour DMN3009SFGQ-7 Diodes Incorporated

Numéro d'article	Marque	La description
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