DMN1053UCP4-7 - MOSFET N-CH 12V 2.7A X3-DSN0808

Référence fabricant

DMN1053UCP4-7

Numéro de pièce interne

ABC-DMN1053UCP4-7

Fabricant

Diodes Incorporated

Brève description

MOSFET N-CH 12V 2.7A X3-DSN0808

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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Spécifications pour DMN1053UCP4-7

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : DMN1053UCP4-7

Fabricant : Diodes Incorporated

La description : MOSFET N-CH 12V 2.7A X3-DSN0808

Séries : -

Statut de la pièce : Active

Type de FET : N-Channel

La technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain à la tension source (Vdss) : 12V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 2.7A (Ta)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 1.2V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 42 mOhm @ 1A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id : 700mV @ 250µA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 15nC @ 4.5V

Vgs (Max) : ±8V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 908pF @ 6V

Caractéristique FET : -

Dissipation de puissance (max) : 1.34W

Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage : Surface Mount

Package d'appareils du fournisseur : X3-DSN0808-4

Paquet / caisse : 4-XFBGA, CSPBGA

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : DMN1 , DMN105

Documents pour DMN1053UCP4-7

Feuilles de données : DMN1053UCP4-7.pdf

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