TK3A60DA(Q,M) - MOSFET N-CH 600V 2.5A TO-220SIS

Référence fabricant

TK3A60DA(Q,M)

Numéro de pièce interne

ABC-TK3A60DA(Q,M)

Fabricant

Toshiba Semiconductor and Storage

Brève description

MOSFET N-CH 600V 2.5A TO-220SIS

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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Spécifications pour TK3A60DA(Q,M)

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : TK3A60DA(Q,M)

Fabricant : Toshiba Semiconductor and Storage

La description : MOSFET N-CH 600V 2.5A TO-220SIS

Séries : π-MOSVII

Statut de la pièce : Active

Type de FET : N-Channel

La technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain à la tension source (Vdss) : 600V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 2.5A (Ta)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 2.8 Ohm @ 1.3A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4.4V @ 1mA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 9nC @ 10V

Vgs (Max) : ±30V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 380pF @ 25V

Caractéristique FET : -

Dissipation de puissance (max) : 30W (Tc)

Température de fonctionnement : 150°C (TJ)

Type de montage : Through Hole

Package d'appareils du fournisseur : TO-220SIS

Paquet / caisse : TO-220-3 Full Pack

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : TK3A , TK3A60

Documents pour TK3A60DA(Q,M)

Feuilles de données : TK3A60DA(Q,M).pdf

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Numéro d'article	Marque	La description
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