PSMN0R7-25YLDX - MOSFET N-CH 25V LFPAK56

Référence fabricant

PSMN0R7-25YLDX

Numéro de pièce interne

ABC-PSMN0R7-25YLDX

Fabricant

Nexperia USA Inc.

Brève description

MOSFET N-CH 25V LFPAK56

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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Spécifications pour PSMN0R7-25YLDX

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : PSMN0R7-25YLDX

Fabricant : Nexperia USA Inc.

La description : MOSFET N-CH 25V LFPAK56

Séries : -

Statut de la pièce : Active

Type de FET : N-Channel

La technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain à la tension source (Vdss) : 25V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 300A (Tc)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 0.72 mOhm @ 25A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.2V @ 1mA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 110.2nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 8320pF @ 12V

Caractéristique FET : -

Dissipation de puissance (max) : 158W (Tc)

Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage : Surface Mount

Package d'appareils du fournisseur : LFPAK56, Power-SO8

Paquet / caisse : SOT-1023, 4-LFPAK

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : PSMN , PSMN0R7

Documents pour PSMN0R7-25YLDX

Feuilles de données : PSMN0R7-25YLDX.pdf

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