IPC302NE7N3X1SA1 - MOSFET N-CH 75V 1A SAWN ON FOIL

Référence fabricant

IPC302NE7N3X1SA1

Numéro de pièce interne

ABC-IPC302NE7N3X1SA1

Fabricant

Infineon Technologies

Brève description

MOSFET N-CH 75V 1A SAWN ON FOIL

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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1-2 jours

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253218 Pieces

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Spécifications pour IPC302NE7N3X1SA1

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : IPC302NE7N3X1SA1

Fabricant : Infineon Technologies

La description : MOSFET N-CH 75V 1A SAWN ON FOIL

Séries : OptiMOS™

Statut de la pièce : Active

Type de FET : N-Channel

La technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain à la tension source (Vdss) : 75V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 1A (Tj)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 100 mOhm @ 2A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 3.8V @ 270µA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : -

Vgs (Max) : -

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : -

Caractéristique FET : -

Dissipation de puissance (max) : -

Température de fonctionnement : -

Type de montage : Surface Mount

Package d'appareils du fournisseur : Sawn on foil

Paquet / caisse : Die

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : IPC30 , IPC302NE

Documents pour IPC302NE7N3X1SA1

Feuilles de données : IPC302NE7N3X1SA1.pdf

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