IXTM50N20 - POWER MOSFET TO-3

Référence fabricant

IXTM50N20

Numéro de pièce interne

ABC-IXTM50N20

Fabricant

IXYS

Brève description

POWER MOSFET TO-3

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

Heure de livraison

1-2 jours

quantité disponible

42159 Pieces

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Spécifications pour IXTM50N20

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : IXTM50N20

Fabricant : IXYS

La description : POWER MOSFET TO-3

Séries : GigaMOS™

Statut de la pièce : Last Time Buy

Type de FET : N-Channel

La technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain à la tension source (Vdss) : 200V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 50A (Tc)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 45 mOhm @ 25A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 220nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 4600pF @ 25V

Caractéristique FET : -

Dissipation de puissance (max) : 300W (Tc)

Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage : Through Hole

Package d'appareils du fournisseur : TO-204AE

Paquet / caisse : TO-204AE

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : IXT , IXTM

Documents pour IXTM50N20

Feuilles de données : IXTM50N20.pdf

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