CSD23202W10 - MOSFET P-CH 12V 2.2A 4DSBGA

Référence fabricant

CSD23202W10

Numéro de pièce interne

ABC-CSD23202W10

Fabricant

T-I

Brève description

MOSFET P-CH 12V 2.2A 4DSBGA

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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Spécifications pour CSD23202W10

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : CSD23202W10

Fabricant : T-I

La description : MOSFET P-CH 12V 2.2A 4DSBGA

Séries : NexFET™

Statut de la pièce : Active

Type de FET : P-Channel

La technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain à la tension source (Vdss) : 12V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 2.2A (Ta)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 1.5V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 53 mOhm @ 500mA, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id : 900mV @ 250µA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 3.8nC @ 4.5V

Vgs (Max) : -6V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 512pF @ 6V

Caractéristique FET : -

Dissipation de puissance (max) : 1W (Ta)

Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage : Surface Mount

Package d'appareils du fournisseur : 4-DSBGA (1x1)

Paquet / caisse : 4-UFBGA, DSBGA

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : CSD , CSD23

Documents pour CSD23202W10

Feuilles de données : CSD23202W10.pdf

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