DMG3414UQ-13 - MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23-3

Référence fabricant

DMG3414UQ-13

Numéro de pièce interne

ABC-DMG3414UQ-13

Fabricant

Diodes Incorporated

Brève description

MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23-3

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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Spécifications pour DMG3414UQ-13

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : DMG3414UQ-13

Fabricant : Diodes Incorporated

La description : MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23-3

Séries : Automotive, AEC-Q101

Statut de la pièce : Active

Type de FET : N-Channel

La technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain à la tension source (Vdss) : 20V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 4.2A (Ta)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 1.8V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 25 mOhm @ 8.2A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id : 900mV @ 250µA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 9.6nC @ 4.5V

Vgs (Max) : ±8V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 829.9pF @ 10V

Caractéristique FET : -

Dissipation de puissance (max) : 780mW

Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage : Surface Mount

Package d'appareils du fournisseur : SOT-23-3

Paquet / caisse : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : DMG3 , DMG341

Documents pour DMG3414UQ-13

Feuilles de données : DMG3414UQ-13.pdf

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