IXFN80N60P3 - MOSFET N-CH 600V 66A SOT-227B

Référence fabricant

IXFN80N60P3

Numéro de pièce interne

ABC-IXFN80N60P3

Fabricant

IXYS

Brève description

MOSFET N-CH 600V 66A SOT-227B

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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1-2 jours

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Spécifications pour IXFN80N60P3

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : IXFN80N60P3

Fabricant : IXYS

La description : MOSFET N-CH 600V 66A SOT-227B

Séries : HiPerFET™, Polar3™

Statut de la pièce : Active

Type de FET : N-Channel

La technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain à la tension source (Vdss) : 600V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 66A (Tc)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 70 mOhm @ 40A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 8mA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 190nC @ 10V

Vgs (Max) : ±30V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 13100pF @ 25V

Caractéristique FET : -

Dissipation de puissance (max) : 960W (Tc)

Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage : Chassis Mount

Package d'appareils du fournisseur : SOT-227B

Paquet / caisse : SOT-227-4, miniBLOC

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : IXF , IXFN8

Documents pour IXFN80N60P3

Feuilles de données : IXFN80N60P3.pdf

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