TSM2N100CP ROG - MOSFET N-CH 1000V 1.85A TO252

Référence fabricant

TSM2N100CP ROG

Numéro de pièce interne

ABC-TSM2N100CP ROG

Fabricant

Taiwan Semiconductor Corporation

Brève description

MOSFET N-CH 1000V 1.85A TO252

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

Heure de livraison

1-2 jours

quantité disponible

1648815 Pieces

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Spécifications pour TSM2N100CP ROG

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : TSM2N100CP ROG

Fabricant : Taiwan Semiconductor Corporation

La description : MOSFET N-CH 1000V 1.85A TO252

Séries : -

Statut de la pièce : Active

Type de FET : N-Channel

La technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain à la tension source (Vdss) : 1000V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 1.85A (Tc)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 8.5 Ohm @ 900mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 5.5V @ 250µA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 17nC @ 10V

Vgs (Max) : ±30V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 625pF @ 25V

Caractéristique FET : -

Dissipation de puissance (max) : 77W (Tc)

Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage : Surface Mount

Package d'appareils du fournisseur : TO-252, (D-Pak)

Paquet / caisse : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : TSM2 , TSM2N10

Documents pour TSM2N100CP ROG

Feuilles de données : TSM2N100CP ROG.pdf

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