CSD13302WT - MOSFET N-CH 12V 1.6A 4-DSBGA

Référence fabricant

CSD13302WT

Numéro de pièce interne

ABC-CSD13302WT

Fabricant

T-I

Brève description

MOSFET N-CH 12V 1.6A 4-DSBGA

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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Spécifications pour CSD13302WT

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : CSD13302WT

Fabricant : T-I

La description : MOSFET N-CH 12V 1.6A 4-DSBGA

Séries : NexFET™

Statut de la pièce : Active

Type de FET : N-Channel

La technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain à la tension source (Vdss) : 12V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 1.6A (Ta)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 2.5V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 17.1 mOhm @ 1A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id : 1.3V @ 250µA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 7.8nC @ 4.5V

Vgs (Max) : ±10V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 862pF @ 6V

Caractéristique FET : -

Dissipation de puissance (max) : 1.8W (Ta)

Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage : Surface Mount

Package d'appareils du fournisseur : 4-DSBGA (1x1)

Paquet / caisse : 4-UFBGA, DSBGA

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : CSD , CSD13

Documents pour CSD13302WT

Feuilles de données : CSD13302WT.pdf

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