TK100E08N1,S1X - MOSFET N-CH 80V 100A TO220

Référence fabricant

TK100E08N1,S1X

Numéro de pièce interne

ABC-TK100E08N1,S1X

Fabricant

Toshiba Semiconductor and Storage

Brève description

MOSFET N-CH 80V 100A TO220

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

Heure de livraison

1-2 jours

quantité disponible

133592 Pieces

Prix de référence

~~USD 2.8~~

Notre prix

- (Veuillez nous contacter pour un meilleur prix: [email protected])

ABC Semiconductor a TK100E08N1,S1X en stock à vendre. Nous pouvons vous expédier dans les 1-2 jours. Veuillez nous contacter pour un meilleur prix pour TK100E08N1,S1X. Notre email: [email protected]

Options et délais de livraison:: DHL: 2-3 days.; FEDEX: 2-3 days.; UPS: 2-4 days.; TNT: 3-5 days.; EMS: 5-8 days.; Normal Post: 10-15 days.

Options de paiement:: Paypal (Credit Card); Bank Transfer (Wire Transfer); Western Union; MoneyGram

Spécifications pour TK100E08N1,S1X

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : TK100E08N1,S1X

Fabricant : Toshiba Semiconductor and Storage

La description : MOSFET N-CH 80V 100A TO220

Séries : U-MOSVIII-H

Statut de la pièce : Active

Type de FET : N-Channel

La technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain à la tension source (Vdss) : 80V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 100A (Ta)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 3.2 mOhm @ 50A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 1mA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 130nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 9000pF @ 40V

Caractéristique FET : -

Dissipation de puissance (max) : 255W (Tc)

Température de fonctionnement : 150°C (TJ)

Type de montage : Through Hole

Package d'appareils du fournisseur : TO-220

Paquet / caisse : TO-220-3

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : TK10 , TK100E0

Documents pour TK100E08N1,S1X

Feuilles de données : TK100E08N1,S1X.pdf

Produits associés pour TK100E08N1,S1X Toshiba Semiconductor and Storage

Numéro d'article	Marque	La description
WF110250WJ50236BJ1	Vishay Beyschlag	Ceramic Capacitors 5000PF 14KV SCREW.
WF135218WL40238BJ1	Vishay Beyschlag	Ceramic Capacitors 4000PF 16KV SCREW.
BZ118078WV50036CB1	Vishay Beyschlag	Ceramic Capacitors 50PF 30KV AXIAL.
PE0200WJ12233BH1	Vishay Beyschlag	Ceramic Capacitors 1200PF 14KV R42 DISK.
CDR01BX102BKZSAT	Vishay Vitramon	Ceramic Capacitors 1000PF 100V 10 BX 0805.
WF125420WN76236BJ1	Vishay Beyschlag	Ceramic Capacitors 7600PF 18KV SCREW.
PEF220WP60238BK1	Vishay Beyschlag	Ceramic Capacitors 6000PF 20KV R230 DISK.
WI106266WP40236BJ2	Vishay Beyschlag	Ceramic Capacitors 4000PF 20KV SCREW.
PEF220WP60236BK1	Vishay Beyschlag	Ceramic Capacitors 6000PF 20KV R230 DISK.
WF135242WP30238BJ1	Vishay Beyschlag	Ceramic Capacitors 3000PF 20KV SCREW.
BZ114096WZ10248BK1	Vishay Beyschlag	Ceramic Capacitors 1000PF 40KV.
WI106266WL50236BJ1	Vishay Beyschlag	Ceramic Capacitors 5000PF 16KV SCREW.
GRM0225C1E5R6DDAEL	Murata Electronics North America	Ceramic Capacitors 5.6PF 25V C0G/NP0 01005.
WF095187WJ10238BH1	Vishay Beyschlag	Ceramic Capacitors 1000PF 14KV SCREW.
CDR31BX332BKZPAB	Vishay Vitramon	Ceramic Capacitors 3300PF 100V BX 0805.
PEF220WH10338BK1	Vishay Beyschlag	Ceramic Capacitors 10000PF 13KV R230 DISK.
WF165335WL10336BJ1	Vishay Beyschlag	Ceramic Capacitors 10000PF 16KV SCREW.
WF125300BH10338BJ1	Vishay Beyschlag	Ceramic Capacitors 10000PF 10KV SCREW.
BZ114096WZ10238BK1	Vishay Beyschlag	Ceramic Capacitors 1000PF 40KV AXIAL.
BZ120055WC16136CB1	Vishay Beyschlag	Ceramic Capacitors 160PF 9KV AXIAL.