BVSS123LT1G - MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23-3

Référence fabricant

BVSS123LT1G

Numéro de pièce interne

ABC-BVSS123LT1G

Fabricant

ON Semiconductor

Brève description

MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23-3

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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Spécifications pour BVSS123LT1G

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : BVSS123LT1G

Fabricant : ON Semiconductor

La description : MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23-3

Séries : -

Statut de la pièce : Active

Type de FET : N-Channel

La technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain à la tension source (Vdss) : 100V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 170mA (Ta)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 6 Ohm @ 100mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.8V @ 1mA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : -

Vgs (Max) : ±20V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 20pF @ 25V

Caractéristique FET : -

Dissipation de puissance (max) : 225mW (Ta)

Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage : Surface Mount

Package d'appareils du fournisseur : SOT-23-3

Paquet / caisse : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : BVS , BVSS1

Documents pour BVSS123LT1G

Feuilles de données : BVSS123LT1G.pdf

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