IXCY01N90E - MOSFET N-CH 900V 0.25A TO-252

Référence fabricant

IXCY01N90E

Numéro de pièce interne

ABC-IXCY01N90E

Fabricant

IXYS

Brève description

MOSFET N-CH 900V 0.25A TO-252

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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Spécifications pour IXCY01N90E

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : IXCY01N90E

Fabricant : IXYS

La description : MOSFET N-CH 900V 0.25A TO-252

Séries : -

Statut de la pièce : Obsolete

Type de FET : N-Channel

La technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain à la tension source (Vdss) : 900V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 250mA (Tc)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 80 Ohm @ 50mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 25µA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 7.5nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 133pF @ 25V

Caractéristique FET : -

Dissipation de puissance (max) : 40W (Tc)

Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage : Surface Mount

Package d'appareils du fournisseur : TO-252

Paquet / caisse : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : IXC , IXCY0

Documents pour IXCY01N90E

Feuilles de données : IXCY01N90E.pdf

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