NSB8JTHE3_A/P - DIODE GEN PURP 600V 8A TO263AB

Référence fabricant

NSB8JTHE3_A/P

Numéro de pièce interne

ABC-NSB8JTHE3_A/P

Fabricant

Vishay Semiconductor Diodes Division

Brève description

DIODE GEN PURP 600V 8A TO263AB

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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1-2 jours

quantité disponible

900970 Pieces

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Spécifications pour NSB8JTHE3_A/P

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : NSB8JTHE3_A/P

Fabricant : Vishay Semiconductor Diodes Division

La description : DIODE GEN PURP 600V 8A TO263AB

Séries : Automotive, AEC-Q101

Statut de la pièce : Active

Type de diode : Standard

Tension - Inverse CC (Vr) (Max) : 600V

Courant - Moyenne Rectifiée (Io) : 8A

Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si : 1.1V @ 8A

La vitesse : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Temps de récupération inverse (trr) : -

Courant - Fuite inverse @ Vr : 10µA @ 600V

Capacité @ Vr, F : 55pF @ 4V, 1MHz

Type de montage : Surface Mount

Paquet / caisse : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Package d'appareils du fournisseur : TO-263AB

Température de fonctionnement - Jonction : -55°C ~ 150°C

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : NSB8 , NSB8JT

Documents pour NSB8JTHE3_A/P

Feuilles de données : NSB8JTHE3_A/P.pdf

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