STL60N10F7 - MOSFET N-CH 100V 12A PWRFLAT5X6

Référence fabricant

STL60N10F7

Numéro de pièce interne

ABC-STL60N10F7

Fabricant

STMicroelectronics

Brève description

MOSFET N-CH 100V 12A PWRFLAT5X6

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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Spécifications pour STL60N10F7

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : STL60N10F7

Fabricant : STMicroelectronics

La description : MOSFET N-CH 100V 12A PWRFLAT5X6

Séries : DeepGATE™, STripFET™ VII

Statut de la pièce : Active

Type de FET : N-Channel

La technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain à la tension source (Vdss) : 100V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 46A (Tc)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 18 mOhm @ 6A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 250µA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 25nC @ 10V

Vgs (Max) : 20V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 1640pF @ 50V

Caractéristique FET : -

Dissipation de puissance (max) : 5W (Ta), 72W (Tc)

Température de fonctionnement : -55°C ~ 175°C (TJ)

Type de montage : Surface Mount

Package d'appareils du fournisseur : PowerFlat™ (5x6)

Paquet / caisse : 8-PowerVDFN

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : STL , STL60

Documents pour STL60N10F7

Feuilles de données : STL60N10F7.pdf

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