DLA11C-TR-E - DIODE GEN PURP 200V 1.1A 2SMD

Référence fabricant

DLA11C-TR-E

Numéro de pièce interne

ABC-DLA11C-TR-E

Fabricant

ON Semiconductor

Brève description

DIODE GEN PURP 200V 1.1A 2SMD

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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1-2 jours

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Spécifications pour DLA11C-TR-E

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : DLA11C-TR-E

Fabricant : ON Semiconductor

La description : DIODE GEN PURP 200V 1.1A 2SMD

Séries : -

Statut de la pièce : Obsolete

Type de diode : Standard

Tension - Inverse CC (Vr) (Max) : 200V

Courant - Moyenne Rectifiée (Io) : 1.1A

Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si : 980mV @ 1.1A

La vitesse : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Temps de récupération inverse (trr) : 50ns

Courant - Fuite inverse @ Vr : 10µA @ 200V

Capacité @ Vr, F : -

Type de montage : Surface Mount

Paquet / caisse : 2-SMD, J-Lead

Package d'appareils du fournisseur : SMD

Température de fonctionnement - Jonction : 150°C (Max)

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : DLA , DLA11

Documents pour DLA11C-TR-E

Feuilles de données : DLA11C-TR-E.pdf

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