NTDV18N06LT4G - MOSFET N-CH 60V 18A DPAK

Référence fabricant

NTDV18N06LT4G

Numéro de pièce interne

ABC-NTDV18N06LT4G

Fabricant

ON Semiconductor

Brève description

MOSFET N-CH 60V 18A DPAK

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

Heure de livraison

1-2 jours

quantité disponible

60832 Pieces

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Spécifications pour NTDV18N06LT4G

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : NTDV18N06LT4G

Fabricant : ON Semiconductor

La description : MOSFET N-CH 60V 18A DPAK

Séries : -

Statut de la pièce : Obsolete

Type de FET : N-Channel

La technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain à la tension source (Vdss) : 60V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 18A (Ta)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 65 mOhm @ 9A, 5V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 250µA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 22nC @ 5V

Vgs (Max) : ±15V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 675pF @ 25V

Caractéristique FET : -

Dissipation de puissance (max) : 2.1W (Ta), 55W (Tj)

Température de fonctionnement : -55°C ~ 175°C (TJ)

Type de montage : Surface Mount

Package d'appareils du fournisseur : DPAK

Paquet / caisse : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : NTDV , NTDV18

Documents pour NTDV18N06LT4G

Feuilles de données : NTDV18N06LT4G.pdf

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