IPP80R1K4P7XKSA1 - MOSFET N-CH 800V 4A TO220

Référence fabricant

IPP80R1K4P7XKSA1

Numéro de pièce interne

ABC-IPP80R1K4P7XKSA1

Fabricant

Infineon Technologies

Brève description

MOSFET N-CH 800V 4A TO220

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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1-2 jours

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Spécifications pour IPP80R1K4P7XKSA1

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : IPP80R1K4P7XKSA1

Fabricant : Infineon Technologies

La description : MOSFET N-CH 800V 4A TO220

Séries : CoolMOS™

Statut de la pièce : Active

Type de FET : N-Channel

La technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain à la tension source (Vdss) : 800V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 4A (Tc)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.4 Ohm @ 1.4A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 3.5V @ 70µA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 10nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 250pF @ 500V

Caractéristique FET : Super Junction

Dissipation de puissance (max) : 32W (Tc)

Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage : Through Hole

Package d'appareils du fournisseur : PG-TO220-3

Paquet / caisse : TO-220-3

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : IPP80 , IPP80R1K

Documents pour IPP80R1K4P7XKSA1

Feuilles de données : IPP80R1K4P7XKSA1.pdf

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