AON7200_101 - MOSFET N-CH DFN

Référence fabricant

AON7200_101

Numéro de pièce interne

ABC-AON7200_101

Fabricant

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Brève description

MOSFET N-CH DFN

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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1-2 jours

quantité disponible

95648 Pieces

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Spécifications pour AON7200_101

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : AON7200_101

Fabricant : Alpha & Omega Semiconductor Inc.

La description : MOSFET N-CH DFN

Séries : -

Statut de la pièce : Obsolete

Type de FET : N-Channel

La technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain à la tension source (Vdss) : 30V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 15.8A (Ta), 40A (Tc)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 8 mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.4V @ 250µA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 20nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 1300pF @ 15V

Caractéristique FET : -

Dissipation de puissance (max) : 3.1W (Ta), 62W (Tc)

Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage : Surface Mount

Package d'appareils du fournisseur : 8-DFN-EP (3x3)

Paquet / caisse : 8-PowerVDFN

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : AON , AON72

Documents pour AON7200_101

Feuilles de données : AON7200_101.pdf

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