PMZB370UNE,315 - MOSFET N-CH 30V 0.9A DFN1006B-3

Référence fabricant

PMZB370UNE,315

Numéro de pièce interne

ABC-PMZB370UNE,315

Fabricant

Nexperia USA Inc.

Brève description

MOSFET N-CH 30V 0.9A DFN1006B-3

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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Spécifications pour PMZB370UNE,315

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : PMZB370UNE,315

Fabricant : Nexperia USA Inc.

La description : MOSFET N-CH 30V 0.9A DFN1006B-3

Séries : -

Statut de la pièce : Active

Type de FET : N-Channel

La technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain à la tension source (Vdss) : 30V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 900mA (Ta)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 1.8V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 490 mOhm @ 500mA, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id : 1.05V @ 250µA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 1.16nC @ 15V

Vgs (Max) : ±8V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 78pF @ 25V

Caractéristique FET : -

Dissipation de puissance (max) : 360mW (Ta), 2.7W (Tc)

Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage : Surface Mount

Package d'appareils du fournisseur : DFN1006B-3

Paquet / caisse : 3-XFDFN

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : PMZB , PMZB370

Documents pour PMZB370UNE,315

Feuilles de données : PMZB370UNE,315.pdf

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Numéro d'article	Marque	La description
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