EPC2212 - AEC-Q101 GAN FET 100V 13.5 MOHM

Référence fabricant

EPC2212

Numéro de pièce interne

ABC-EPC2212

Fabricant

EPC

Brève description

AEC-Q101 GAN FET 100V 13.5 MOHM

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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Spécifications pour EPC2212

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : EPC2212

Fabricant : EPC

La description : AEC-Q101 GAN FET 100V 13.5 MOHM

Séries : eGaN®

Statut de la pièce : Active

Type de FET : N-Channel

La technologie : GaNFET (Gallium Nitride)

Drain à la tension source (Vdss) : 100V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 18A (Ta)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 13.5 mOhm @ 11A, 5V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 3mA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 4nC @ 5V

Vgs (Max) : +6V, -4V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 407pF @ 50V

Caractéristique FET : -

Dissipation de puissance (max) : -

Température de fonctionnement : -40°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage : Surface Mount

Package d'appareils du fournisseur : Die

Paquet / caisse : Die

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : EP , EPC

Documents pour EPC2212

Feuilles de données : EPC2212.pdf

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