FDPF10N50UT - MOSFET N-CH 500V 8A TO-220F-3

Référence fabricant

FDPF10N50UT

Numéro de pièce interne

ABC-FDPF10N50UT

Fabricant

ON Semiconductor

Brève description

MOSFET N-CH 500V 8A TO-220F-3

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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Spécifications pour FDPF10N50UT

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : FDPF10N50UT

Fabricant : ON Semiconductor

La description : MOSFET N-CH 500V 8A TO-220F-3

Séries : UniFET™

Statut de la pièce : Active

Type de FET : N-Channel

La technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain à la tension source (Vdss) : 500V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 8A (Tc)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.05 Ohm @ 4A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 250µA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 24nC @ 10V

Vgs (Max) : ±30V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 1130pF @ 25V

Caractéristique FET : -

Dissipation de puissance (max) : 42W (Tc)

Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage : Through Hole

Package d'appareils du fournisseur : TO-220F

Paquet / caisse : TO-220-3 Full Pack

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : FDP , FDPF1

Documents pour FDPF10N50UT

Feuilles de données : FDPF10N50UT.pdf

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