FDG316P - MOSFET P-CH 30V 1.6A SC70-6

Référence fabricant

FDG316P

Numéro de pièce interne

ABC-FDG316P

Fabricant

ON Semiconductor

Brève description

MOSFET P-CH 30V 1.6A SC70-6

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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Spécifications pour FDG316P

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : FDG316P

Fabricant : ON Semiconductor

La description : MOSFET P-CH 30V 1.6A SC70-6

Séries : PowerTrench®

Statut de la pièce : Active

Type de FET : P-Channel

La technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain à la tension source (Vdss) : 30V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 1.6A (Ta)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 190 mOhm @ 1.6A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 250µA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 5nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 165pF @ 15V

Caractéristique FET : -

Dissipation de puissance (max) : 750mW (Ta)

Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage : Surface Mount

Package d'appareils du fournisseur : SC-88 (SC-70-6)

Paquet / caisse : 6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : FD , FDG

Documents pour FDG316P

Feuilles de données : FDG316P.pdf

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