RQ3E100GNTB - MOSFET N-CH 30V 10A 8-HSMT

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Brève description
MOSFET N-CH 30V 10A 8-HSMT
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour RQ3E100GNTB

Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : RQ3E100GNTB
Fabricant : Rohm Semiconductor
La description : MOSFET N-CH 30V 10A 8-HSMT
Séries : -
Statut de la pièce : Active
Type de FET : N-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 30V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 10A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 11.7 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 1mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 7.9nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 420pF @ 15V
Caractéristique FET : -
Dissipation de puissance (max) : 2W (Ta), 15W (Tc)
Température de fonctionnement : 150°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur : 8-HSMT (3.2x3)
Paquet / caisse : 8-PowerVDFN
Poids : -
État : Nouveau et original
Liens connexes : RQ3 , RQ3E1

Documents pour RQ3E100GNTB

Feuilles de données : RQ3E100GNTB.pdf

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