BSZ018NE2LSIATMA1 - MOSFET N-CH 25V 22A TSDSON-8

Référence fabricant

BSZ018NE2LSIATMA1

Numéro de pièce interne

ABC-BSZ018NE2LSIATMA1

Fabricant

Infineon Technologies

Brève description

MOSFET N-CH 25V 22A TSDSON-8

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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Spécifications pour BSZ018NE2LSIATMA1

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : BSZ018NE2LSIATMA1

Fabricant : Infineon Technologies

La description : MOSFET N-CH 25V 22A TSDSON-8

Séries : OptiMOS™

Statut de la pièce : Active

Type de FET : N-Channel

La technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain à la tension source (Vdss) : 25V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 22A (Ta), 40A (Tc)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.8 mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 250µA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 36nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 2500pF @ 12V

Caractéristique FET : -

Dissipation de puissance (max) : 2.1W (Ta), 69W (Tc)

Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage : Surface Mount

Package d'appareils du fournisseur : PG-TSDSON-8-FL

Paquet / caisse : 8-PowerTDFN

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : BSZ01 , BSZ018NE

Documents pour BSZ018NE2LSIATMA1

Feuilles de données : BSZ018NE2LSIATMA1.pdf

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