AOWF412 - MOSFET N-CH 100V 7.8A TO262F

Référence fabricant

AOWF412

Numéro de pièce interne

ABC-AOWF412

Fabricant

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Brève description

MOSFET N-CH 100V 7.8A TO262F

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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1-2 jours

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Spécifications pour AOWF412

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : AOWF412

Fabricant : Alpha & Omega Semiconductor Inc.

La description : MOSFET N-CH 100V 7.8A TO262F

Séries : SDMOS™

Statut de la pièce : Active

Type de FET : N-Channel

La technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain à la tension source (Vdss) : 100V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 7.8A (Ta), 30A (Tc)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 7V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 15.8 mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 3.8V @ 250µA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 54nC @ 10V

Vgs (Max) : ±25V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 3220pF @ 50V

Caractéristique FET : -

Dissipation de puissance (max) : 2.1W (Ta), 33W (Tc)

Température de fonctionnement : -55°C ~ 175°C (TJ)

Type de montage : Through Hole

Package d'appareils du fournisseur : -

Paquet / caisse : TO-262-3 Full Pack, I²Pak

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : AO , AOW

Documents pour AOWF412

Feuilles de données : AOWF412.pdf

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