BUK9C5R3-100EJ - MOSFET N-CH 100V D2PAK

Référence fabricant

BUK9C5R3-100EJ

Numéro de pièce interne

ABC-BUK9C5R3-100EJ

Fabricant

NXP USA Inc.

Brève description

MOSFET N-CH 100V D2PAK

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

Heure de livraison

1-2 jours

quantité disponible

46124 Pieces

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Spécifications pour BUK9C5R3-100EJ

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : BUK9C5R3-100EJ

Fabricant : NXP USA Inc.

La description : MOSFET N-CH 100V D2PAK

Séries : -

Statut de la pièce : Active

Type de FET : N-Channel

La technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain à la tension source (Vdss) : 100V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : -

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : -

Rds On (Max) @ Id, Vgs : -

Vgs (th) (Max) @ Id : -

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : -

Vgs (Max) : -

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : -

Caractéristique FET : -

Dissipation de puissance (max) : -

Température de fonctionnement : -

Type de montage : Surface Mount

Package d'appareils du fournisseur : D2PAK-7

Paquet / caisse : TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : BUK9 , BUK9C5R

Documents pour BUK9C5R3-100EJ

Feuilles de données : BUK9C5R3-100EJ.pdf

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