IPS70R600CEAKMA1 - MOSFET N-CH 700V 10.5A TO-251

Référence fabricant

IPS70R600CEAKMA1

Numéro de pièce interne

ABC-IPS70R600CEAKMA1

Fabricant

Infineon Technologies

Brève description

MOSFET N-CH 700V 10.5A TO-251

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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Spécifications pour IPS70R600CEAKMA1

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : IPS70R600CEAKMA1

Fabricant : Infineon Technologies

La description : MOSFET N-CH 700V 10.5A TO-251

Séries : CoolMOS™

Statut de la pièce : Discontinued at Digi-Key

Type de FET : N-Channel

La technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain à la tension source (Vdss) : 700V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 10.5A (Tc)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 600 mOhm @ 1A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 3.5V @ 0.21mA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 22nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 474pF @ 100V

Caractéristique FET : Super Junction

Dissipation de puissance (max) : 86W (Tc)

Température de fonctionnement : -40°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage : Through Hole

Package d'appareils du fournisseur : PG-TO251-3

Paquet / caisse : TO-251-3 Stub Leads, IPak

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : IPS70 , IPS70R60

Documents pour IPS70R600CEAKMA1

Feuilles de données : IPS70R600CEAKMA1.pdf

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