PSMN9R0-30YL,115 - MOSFET N-CH 30V 61A LFPAK

Référence fabricant

PSMN9R0-30YL,115

Numéro de pièce interne

ABC-PSMN9R0-30YL,115

Fabricant

NXP USA Inc.

Brève description

MOSFET N-CH 30V 61A LFPAK

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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Spécifications pour PSMN9R0-30YL,115

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : PSMN9R0-30YL,115

Fabricant : NXP USA Inc.

La description : MOSFET N-CH 30V 61A LFPAK

Séries : -

Statut de la pièce : Obsolete

Type de FET : N-Channel

La technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain à la tension source (Vdss) : 30V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 61A (Tc)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 8 mOhm @ 15A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.15V @ 1mA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 17.8nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 1006pF @ 12V

Caractéristique FET : -

Dissipation de puissance (max) : 46W (Tc)

Température de fonctionnement : -55°C ~ 175°C (TJ)

Type de montage : Surface Mount

Package d'appareils du fournisseur : LFPAK56, Power-SO8

Paquet / caisse : SC-100, SOT-669

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : PSMN9 , PSMN9R0-

Documents pour PSMN9R0-30YL,115

Feuilles de données : PSMN9R0-30YL,115.pdf

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