DMN6070SY-13 - MOSFET N-CH 60V 4.1A SOT89-3

Référence fabricant

DMN6070SY-13

Numéro de pièce interne

ABC-DMN6070SY-13

Fabricant

Diodes Incorporated

Brève description

MOSFET N-CH 60V 4.1A SOT89-3

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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Spécifications pour DMN6070SY-13

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : DMN6070SY-13

Fabricant : Diodes Incorporated

La description : MOSFET N-CH 60V 4.1A SOT89-3

Séries : -

Statut de la pièce : Active

Type de FET : N-Channel

La technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain à la tension source (Vdss) : 60V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 4.1A (Ta)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 85 mOhm @ 2.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 250µA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 12.3nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 588pF @ 30V

Caractéristique FET : -

Dissipation de puissance (max) : 2.1W (Ta)

Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage : Surface Mount

Package d'appareils du fournisseur : SOT-89-3

Paquet / caisse : TO-243AA

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : DMN6 , DMN607

Documents pour DMN6070SY-13

Feuilles de données : DMN6070SY-13.pdf

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Numéro d'article	Marque	La description
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