IPG20N06S2L65AATMA1 - MOSFET 2N-CH 8TDSON

Référence fabricant

IPG20N06S2L65AATMA1

Numéro de pièce interne

ABC-IPG20N06S2L65AATMA1

Fabricant

Infineon Technologies

Brève description

MOSFET 2N-CH 8TDSON

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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Spécifications pour IPG20N06S2L65AATMA1

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : IPG20N06S2L65AATMA1

Fabricant : Infineon Technologies

La description : MOSFET 2N-CH 8TDSON

Séries : Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™

Statut de la pièce : Active

Type de FET : 2 N-Channel (Dual)

Caractéristique FET : Logic Level Gate

Drain à la tension source (Vdss) : 55V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 20A

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 65 mOhm @ 15A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 14µA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 12nC @ 10V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 410pF @ 25V

Puissance - Max : 43W

Température de fonctionnement : -55°C ~ 175°C (TJ)

Type de montage : Surface Mount

Paquet / caisse : 8-PowerVDFN

Package d'appareils du fournisseur : PG-TDSON-8-10

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : IPG20N , IPG20N06S

Documents pour IPG20N06S2L65AATMA1

Feuilles de données : IPG20N06S2L65AATMA1.pdf

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