RFN10NS6STL - DIODE GEN PURP 600V 10A LPDS

Référence fabricant

RFN10NS6STL

Numéro de pièce interne

ABC-RFN10NS6STL

Fabricant

Rohm Semiconductor

Brève description

DIODE GEN PURP 600V 10A LPDS

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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1-2 jours

quantité disponible

948759 Pieces

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Spécifications pour RFN10NS6STL

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : RFN10NS6STL

Fabricant : Rohm Semiconductor

La description : DIODE GEN PURP 600V 10A LPDS

Séries : -

Statut de la pièce : Active

Type de diode : Standard

Tension - Inverse CC (Vr) (Max) : 600V

Courant - Moyenne Rectifiée (Io) : 10A

Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si : 1.55V @ 10A

La vitesse : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Temps de récupération inverse (trr) : 50ns

Courant - Fuite inverse @ Vr : 10µA @ 600V

Capacité @ Vr, F : -

Type de montage : Surface Mount

Paquet / caisse : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Package d'appareils du fournisseur : LPDS

Température de fonctionnement - Jonction : 150°C (Max)

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : RFN , RFN10

Documents pour RFN10NS6STL

Feuilles de données : RFN10NS6STL.pdf

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